三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別(并不是10nm,預(yù)計(jì)是14~18nm之間)的DRAM芯片。
其中,單芯片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm,工藝層面上,性能提升10%,功耗和封裝面積減小,能效提升15%。
同時(shí),陣腳帶寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600),也比1x-nm時(shí)代的DDR-3200進(jìn)步。
1y-nm工藝,三星沒有引入EUV,而是通過(guò)加入高靈敏度的單元數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)和減少氣隙實(shí)現(xiàn)。
與此同時(shí),三星表示,也會(huì)進(jìn)一步加快依賴DRAM技術(shù)的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態(tài)存儲(chǔ)芯片的開發(fā)工作。
目前,AMD/Intel已經(jīng)驗(yàn)證通過(guò)1y-nm內(nèi)存。
此舉還意味著,1x-nm以及更老的工藝的內(nèi)存成本和最終價(jià)格將有望下探。
責(zé)任編輯:金林舒
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