拋棄機(jī)械硬盤：只有這樣SSD才會(huì)停止?jié)q價(jià)

機(jī)械硬盤由于本身的物理架構(gòu)問(wèn)題，導(dǎo)致其體積重、不抗震、讀寫慢、響應(yīng)速度低等弊端，成為PC性能發(fā)展的一大瓶頸。相比較而言，NAND閃存的體積小、更抗震、數(shù)據(jù)讀取速度快，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也更為安全。

不過(guò)，早期的閃存由于原材料較貴，單位容量比硬盤更貴。隨著像三星等上游Flash廠商技術(shù)不斷突破，如今，閃存的價(jià)格正在快速下降，同時(shí)其制程也在不斷提高。不久的將來(lái)，閃存的價(jià)格將與普通硬盤處在同一級(jí)別，屆時(shí)閃存將取代硬盤成為常規(guī)存儲(chǔ)。

但是正在大家期盼SSD價(jià)格一路下滑時(shí)，它卻觸底反彈。據(jù)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià)統(tǒng)計(jì)，自2016年5月下旬SSD漲價(jià)以來(lái)，120GB TLC SSD價(jià)格已從25美元上漲至37美元，漲幅達(dá)48%；240GBTLC SSD價(jià)格已從44美元上漲至66美元，漲幅高達(dá)50%。

價(jià)格暴漲的SSD直接導(dǎo)致固態(tài)硬盤推進(jìn)速度變緩，原本在2016年預(yù)估滲透率從40%-50%下調(diào)到35%，用戶購(gòu)買大容量SSD意愿也大幅降低。那么究竟是什么原因?qū)е耂SD價(jià)格上漲呢？原因有兩方面。

過(guò)渡到3D NAND技術(shù)后良率不高

固態(tài)硬盤絕大部分成本來(lái)自于NAND Flash，為此上游NAND廠商就通過(guò)升級(jí)NAND Flash來(lái)降低成本。其中三星是最早成功量產(chǎn)3D NAND的廠商，隨后Intel、美光、東芝等廠商也開(kāi)始全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但由于3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。

何為3D NAND Flash？

從技術(shù)結(jié)構(gòu)上講，3D NAND通過(guò)立體堆疊的方式使單位面積承載更大的存儲(chǔ)容量，2D NAND好比是平房，3D NAND則是高樓，建筑面積成倍提升，理論上可以無(wú)限堆疊。

目前2D NAND工藝逼近物理極限，單位面積存儲(chǔ)容量難以繼續(xù)提升。3D NAND解決了由于晶圓物理極限而無(wú)法進(jìn)一步擴(kuò)大單die可用容量的限制，進(jìn)一步推動(dòng)了存儲(chǔ)顆?？傮w容量的飆升。

移動(dòng)設(shè)備對(duì)Flash需求增加

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，用戶對(duì)智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備需求與日俱增。每年的Q3季度都是智能機(jī)銷售旺季，加上2016年的iPhone新品最低容量從32GB起跳，最高提升至256GB，同時(shí)帶動(dòng)了其他智能機(jī)品牌的跟進(jìn)，大容量智能手機(jī)刮起了一陣旋風(fēng)，加劇了NANDFlash供應(yīng)端的壓力。

綜上所述，NAND Flash市場(chǎng)缺貨主要是因?yàn)樯嫌螐S商向3D技術(shù)轉(zhuǎn)換導(dǎo)致2D NAND Flash產(chǎn)出減少，加上智能移動(dòng)設(shè)備需求增長(zhǎng)，更是雪上加霜。不過(guò)近一年上游廠商產(chǎn)能調(diào)整過(guò)渡期，在2017年下半年有望出現(xiàn)緩和跡象。一方面三星順利過(guò)渡到64層3D NAND技術(shù)，東芝也開(kāi)始在下半年大規(guī)模量產(chǎn)3D NAND Flash，屆時(shí)市場(chǎng)供貨緊缺的市況將有望得到緩解。